首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   12479篇
  免费   2442篇
  国内免费   1486篇
化学   9480篇
晶体学   210篇
力学   648篇
综合类   123篇
数学   1306篇
物理学   4640篇
  2024年   13篇
  2023年   309篇
  2022年   382篇
  2021年   580篇
  2020年   659篇
  2019年   625篇
  2018年   496篇
  2017年   440篇
  2016年   628篇
  2015年   742篇
  2014年   836篇
  2013年   982篇
  2012年   1229篇
  2011年   1231篇
  2010年   818篇
  2009年   847篇
  2008年   941篇
  2007年   761篇
  2006年   700篇
  2005年   565篇
  2004年   404篇
  2003年   309篇
  2002年   309篇
  2001年   227篇
  2000年   212篇
  1999年   158篇
  1998年   121篇
  1997年   97篇
  1996年   83篇
  1995年   72篇
  1994年   57篇
  1993年   76篇
  1992年   53篇
  1991年   55篇
  1990年   32篇
  1989年   31篇
  1988年   26篇
  1987年   28篇
  1986年   34篇
  1985年   40篇
  1984年   28篇
  1983年   15篇
  1982年   16篇
  1980年   15篇
  1979年   15篇
  1978年   11篇
  1977年   11篇
  1976年   15篇
  1975年   13篇
  1973年   10篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 140 毫秒
31.
李蕾蕾  刘红侠  于宗光  郝跃 《物理学报》2006,55(5):2459-2463
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数. 在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复. 关键词: 2PROM')" href="#">E2PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力  相似文献   
32.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.  相似文献   
33.
许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.  相似文献   
34.
工作气压对电子束沉积ZrO2薄膜折射率和聚集密度的影响   总被引:6,自引:2,他引:4  
采用电子束蒸发的方法,用石英晶体振荡法监控薄膜的蒸发速率,在不同工作气压下制备了ZrO2薄膜样品.在相调制型椭圆偏振光谱仪和分光光度计上对样品的光谱特性进行了测试.根据波长漂移的理论,计算出薄膜的聚集密度.结果表明,随着工作气压的降低,薄膜的聚集密度和折射率都随之增大.  相似文献   
35.
杨昌平  周智辉  王浩  K. Iwas  M. Kohgi 《物理学报》2006,55(12):6643-6646
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 关键词: 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体  相似文献   
36.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离. 关键词: Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移  相似文献   
37.
基于平均和峰值灰度加权的自动调光系统   总被引:6,自引:0,他引:6  
苏宏武  杨小君  李哲  郝伟  刘刚 《光子学报》2006,35(1):158-160
介绍了在CCD高速电视测量仪系统中,利用电子快门和可变光阑有机结合,在运动控制卡控制下实现自动调光,扩大了调光的动态范围.采用了平均灰度和峰值灰度加权的办法来获取反馈信号,有效的解决不同背景下自调光系统的适应性.提出了基于二次函数的调光反馈量计算方法,提高了调光过程中的收敛速度,同时也保证了系统有较小的超调量.  相似文献   
38.
研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量.分析了钕离子激发态4F3/2的辐射寿命(631 μs)和4F3/2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比.  相似文献   
39.
利用北京谱仪Ⅲ探测器模拟和触发系统模拟程序,研究了北京谱仪Ⅲ电磁量能器的触发方案.根据物理目标设计了中性事例触发,巴巴事例判选和带电事例触发的方案,优化了各触发条件的参数,并仔细研究了对本底的排斥能力.研究了一批典型的物理道,给出了它们的触发效率,同时给出了预期的本底触发事例率.  相似文献   
40.
Comprehensive studies of X-ray diffraction, oxygen content, superconductivity and Mössbauer effect have been made on FexCu1−xBa2YCu2O7+y superconductors (0.00≤x≤0.70) synthesized by ambient (AM) and high pressure (HP). Results indicate that all the HP-samples have tetragonal structure, smaller lattice parameter c and unit-cell volume than the AM-samples. The studies of oxygen content, and Mössbauer spectroscopy indicate that the HP-samples have higher oxygen content, carrier concentration and average valence of Fe than the AM-samples. Moreover, for the HP-samples more Fe atoms located in CuOx chains have fivefold-oxygen coordination. These are important reasons for the enhancement of Tc in the HP-samples.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号